6月中旬，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在最新發(fā)布的《第三代半導體產業(yè)發(fā)展報告2020》（以下簡稱“報告”）中表示，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)電、快充等領域不斷取得突破，2020年全球第三代半導體市場總體保持增長態(tài)勢。

       據(jù)其統(tǒng)計，由于5G基站、新能源、快充市場發(fā)展等原因拉動，去年我國第三代半導體碳化硅、氮化鎵電力電子和氮化鎵微波射頻市場總規(guī)模達到113億元，較2019年增長85%?！叭欢粩嘣鲩L的市場規(guī)模并未對國內產業(yè)形成有效拉動，國內企業(yè)規(guī)模仍然較小，在新能源汽車、5G基站等關鍵市場超過八成的國內市場份額主要被國際大廠占有。”聯(lián)盟在報告中指出。

有半導體產業(yè)鏈上市公司相關人士亦向記者表示，“第三代半導體大家都在研發(fā)當中，但是真正能夠大規(guī)模量產的并不多，目前大部分的量都是進口國外的產品?！?/p>

半導體演進

       第一代半導體是以硅材料為主，廣泛應用在手機、電腦等領域，比如電腦的和手機的處理器都采用這種硅基的半導體技術。第二代半導體以砷化鎵、銻化銦為代表，主要是功率放大，用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、導航等領域。第三代半導體是以氮化鎵、碳化硅為代表的化合物半導體，主要應用于光電子、電力電子和微波射頻，比如手機快充、新能源車、軌道交通、5G基站、航空航天等等。

       國內半導體生產企業(yè)華潤微（688396.SH）相關人士在接受記者采訪時表示，目前該公司也在布局第三代半導體，已經推出了碳化硅二極管樣品。目前公司采用IDM的模式，也就是說在半導體產業(yè)鏈上覆蓋了設計、制造、封測等多個環(huán)節(jié)。

       上述人士進一步介紹稱，相比前兩代，第三代半導體的特點主要是寬禁帶、性價比高。寬禁帶意味著產品具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點。因此第三半導體使用的范圍和場景都更好一些。

       另一家半導體企業(yè)三安光電（600703.SH）的相關人士則對記者表示，第三代半導體可以用于手機、車、基站等。目前三安光電在化合物半導體方面是國內******的生產企業(yè)，涉及半導體襯底和外延的生產，主要做6英寸的產品生產?！坝泻芏噙€處于研發(fā)狀態(tài)，有些產品已經上市，比如三星的電視就用到了三安光電的部件?！?/p>

       根據(jù)三安光電在2020年度報告中的介紹，電力電子器件又稱為功率器件，主要應用于變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等領域，幾乎用于所有的電子制造業(yè)，包括計算機、網(wǎng)絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等。

       目前，第三代半導體功率器件發(fā)展方向主要有碳化硅和氮化鎵兩大方向，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高，在功率半導體領域有很大的應用潛力。碳化硅擁有更高的熱導率和更成熟的技術，氮化鎵高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點，兩者的不同優(yōu)勢決定了應用范圍上的差異。

路線與模式

      氮化鎵集中在600V以下領域，主要應用于快充、電源開關、激光雷達、服務器電源等市場；碳化硅用于1200V以上領域，主要應用于電動汽車、PFC電源、儲能、充電樁、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域。

      聯(lián)盟在《報告》中則進一步分析稱，預計三到五年內，碳化硅功率器件將成為新能源汽車中電機驅動器系統(tǒng)主流的技術方案，這將給全球碳化硅功率器件產業(yè)帶來巨大發(fā)展機遇。豐田、大眾、本田、寶馬、奧迪等汽車企業(yè)都將碳化硅功率器件作為未來新能源汽車電機驅動系統(tǒng)的******解決方案。

      國外多家企業(yè)同時也開始推動氮化鎵在新能源汽車領域的應用，多家企業(yè)都推出了車規(guī)級商業(yè)化產品。與硅技術相比，氮化鎵芯片具有以下優(yōu)勢：開關速度******提高4倍、降低電壓電流交叉損耗、功率密度最高增加40%。但國內氮化鎵功率半導體研發(fā)及應用起步相對較晚，尚未在新能源汽車領域取得實質進展。

      根據(jù)聯(lián)盟的預計，國內碳化硅汽車市場將以30.6%的復合年增長率增長，2020年市場規(guī)模15.8億元，到2025年將超過45億元。折算成晶圓，國內2020年新能源汽車市場6英寸碳化硅晶圓需求量超過4萬片，預計到2025年需求量將增長到近30萬片。國際2020年新能源汽車市場6英寸碳化硅晶圓需求量超過5萬片，到2025年需求量超過60萬片。

      另外，氮化鎵電力電子器件在快充市場也發(fā)展迅速。充電頭網(wǎng)的數(shù)據(jù)顯示，去年有10家手機廠商推出了18款氮化鎵快充，華為、小米、OPPO、聯(lián)想、魅族、努比亞等主流廠商均位列其中，而小米、聯(lián)想、OPPO、Realme、三星等品牌已經將氮化鎵快充作為手機的標配。氮化鎵電力電子器件具有高開關頻率、高能量密度和高能量轉換效率的特點，能夠使氮化鎵PD快充實現(xiàn)更高功率、更小體積和更高轉換效率。隨著氮化鎵技術的革新升級，性能及成本優(yōu)勢加持下，氮化鎵未來有望成為主流快充技術。

      而且，快充技術從手機出發(fā)，已經逐步覆蓋到了平板電腦、筆記本電腦、顯示器、新能源汽車、電動工具、IoT設備等七大市場。除了手機廠商之外，筆電廠商也已陸續(xù)進入氮化鎵快充市場，聯(lián)想、戴爾、LG等品牌均基于氮化鎵功率器件推出了高效的大功率快充配件，而新產品相較于傳統(tǒng)的筆記本適配器體積大大縮小，一臺65W以上容量的快充，可滿足筆記本、手機和平板電腦的充電需求。聯(lián)盟認為，氮化鎵快充將在未來幾年迎來發(fā)展的巔峰，市場容量十分可觀。

      CASAResearch的數(shù)據(jù)顯示，去年國內PD快充氮化鎵電力電子器件市場規(guī)模約1.5億元，預計到2025年市場規(guī)模將超過40億元，年均復合增長率97%；去年全球PD快充氮化鎵電力電子器件市場規(guī)模超過3億元，預計到2025年市場規(guī)模達到80多億元，年均復合增長率90%。折算到上游晶圓需求來看，國內去年PD快充市場6英寸氮化鎵晶圓需求量為1.7萬片，到2025年需求量約為67.4萬片;國際去年PD快充市場6英寸氮化鎵晶圓需求量為3.7萬片，到2025年需求量將超過120萬片。

      在微波射頻方面，據(jù)CASARe－search統(tǒng)計，去年國內氮化鎵微波射頻器件市場規(guī)模為66.1億元，較上年同比增57.2%?？紤]到5G基站建設是影響氮化鎵微波射頻器件市場規(guī)模變化的主要因素，預計2022年我國5G基站建設將達到高峰，帶動國內氮化鎵微波射頻器件市場規(guī)模迅速擴張。而且，即使在2023年以后我國5G基站建設規(guī)模將有所回落，但毫米波基站將有望始大規(guī)模部署，成為拉動市場的主要力量，帶動國內氮化鎵微波射頻器件市場規(guī)模成倍數(shù)增長。

      根據(jù)聯(lián)盟的分析，去年我國5G宏基站氮化鎵射頻功率放大器市場規(guī)模73億元，到2022年市場規(guī)模接近100億元，復合增長率達到17.5%。2023年毫米波基站將開始部署，預計射頻功率放大器市場規(guī)模將有5-10倍的增長需求。整體來看，5G宏基站、微基站及毫米波基站帶來的氮化鎵射頻功率放大器市場規(guī)模將超過1000億元。折算成晶圓來看，若毫米波基站開始部署，其4英寸氮化鎵晶圓總需求量約為200-400萬片。

      然而，目前全球射頻器件市場由住友電工、Cree|Wolfspeed和Qorvo三家企業(yè)占據(jù)，其中住友電工為華為主要供應商。國內在毫米波領域處于空白，沒有相關器件供應商。

差距仍大

      盡管目前國內第三代半導體在規(guī)模和技術方面發(fā)展迅速，但和國際上的主要公司相比仍然有不小差距。

     上述華潤微人士向記者表示：“這個第三代半導體大家都在研發(fā)當中，但是真正能夠大規(guī)模量產的并不多，目前大部分的量都是進口國外的產品?！?/p>

      三安光電的內部人士也告訴記者，目前公司大部分的產品還是傳統(tǒng)的LED芯片產品，現(xiàn)在第三代半導體產品總體占比不大，不過產品的結構也在慢慢變化，占比在逐漸增加。

      來自聯(lián)盟的數(shù)據(jù)顯示，去年我國第三代半導體產業(yè)電力電子和射頻電子總產值超過100億元，較2019年增長69.5%。其中，碳化硅、氮化鎵電力電子產值規(guī)模達44.7億元，同比增長54%，襯底材料約2.2億元，外延及芯片約5億元，器件及模組約7.2億元，裝置約30億元，相較前幾年，中下游的增長速度加快。而氮化鎵微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。其中，襯底約6.5億元，外延及芯片9.2億元，器件及模組19.6億元，裝置約25.5億元。

     而根據(jù)CASAResearch的不完全統(tǒng)計，截至2020年底，國內有超過170家從事第三代半導體電力電子和微波射頻的企業(yè)（2018年這個數(shù)字尚不足100家），覆蓋了從上游材料的制備(襯底、外延)、中游器件設計、制造、封測到下游的應用，基本形成完整的產業(yè)鏈結構。

在此同時，傳統(tǒng)半導體企業(yè)依托資金、技術、渠道以及商業(yè)模式的優(yōu)勢，正在積極布局第三代半導體。比如去年有17家半導體企業(yè)陸續(xù)登陸科創(chuàng)板，其中有5家企業(yè)計劃布局第三代半導體。

      當然，目前國產替代的過程也在加速，以華為為代表的應用企業(yè)調整供應鏈，使得國內企業(yè)獲得了試用、改進的機會，國產器件逐漸導入終端產品供應鏈。國內第三代半導體企業(yè)抓住發(fā)展機遇，主動與下游應用企業(yè)開展合作，推動國產器件的快速應用。

      根據(jù)聯(lián)盟提供的信息，國內碳化硅商業(yè)化襯底以4英寸為主，逐步向6英寸過渡，微管密度、襯底可用面積、位錯等技術參數(shù)都有所進步。在研發(fā)方面，目前已經實現(xiàn)了高質量6英寸碳化硅襯底材料的制備，但“國內碳化硅襯底單晶質量與國外差距明顯，存在單晶性能一致性差、成品率低、成本高等問題，國產高性能襯底自給率仍然較低，占全球的市場份額不到5%?！?/p>

       此外，聯(lián)盟認為，目前產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)產能雖然在不斷增長，但供給仍然不足。去年新能源汽車、PD快充、5G等下游應用市場增長超預期，但國內現(xiàn)有產品商業(yè)化供給無法滿足市場需求，尤其是碳化硅電力電子和氮化鎵射頻存在較大缺口。這也導致我國第三代半導體各環(huán)節(jié)國產化率較低，超過八成的產品依賴進口。“整體來看，我國第三代半導體供應鏈的自主保障能力得到增強，但國內企業(yè)的市場競爭力較國際巨頭仍有差距。與國際企業(yè)相比，我國第三代半導體產業(yè)規(guī)模仍然較小，企業(yè)優(yōu)勢不明顯。目前各細分應用市場的核心器件均由              Cree|Wolfspeed、ROHM、Infi－neon等國外企業(yè)占據(jù)，國產產品市占率不足10%?！薄埃ㄓ绕洌┲档米⒁獾氖牵蟪叽绠a線對材料技術和生產技術的要求更高，與國際相比，國內大尺寸晶圓制造技術尚未完全成熟，成本高昂、良率較低。企業(yè)要根據(jù)自身情況，綜合考慮技術、成本、生產效率等多方面因素，選取最優(yōu)的工藝路線?！甭?lián)盟表示。