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405nm 1W 光纖耦合半導體激光器
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450nm 5W TO9 藍光激光二極管 MOV9B-1
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450nm 5W 光纖耦合激光器(內(nèi)置TO)
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645nm 1.2W TO9 紅光激光二極管 MS16R-1
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808nm 3W TO9 激光二極管 MR03I-1
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1550nm 15W TO56 脈沖激光二極管
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全自動半導體激光COS測試機（TC-1000）
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高功率半導體激光器BAR條/疊陣老化測試機（LB-1000）
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【展會邀請】佶達德邀您參加第25屆中國國際光電博覽會
【展會邀請】佶達德光電子邀您參加2024慕尼黑上海光博會
予你以筆，由你畫龍點睛
【展會邀請】佶達德光電子邀您參加第24屆CIOE中國光博會
【展會邀請】佶達德光電子邀您參加慕尼黑上海光博會
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芯片新局面：第三代半導體迎來新機遇
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半導體芯片全景深度梳理
2021-09-30
半導體芯片行業(yè)作為半導體行業(yè)的主要代表，是整個電子信息技術行業(yè)的基礎。 根據(jù)摩爾定律，當價格不變時，半導體芯片上可容納的元器件的數(shù)目約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。自戈登·摩爾提出...
下一代半導體：一路向?qū)?，一路向?/h2>
2021-09-30
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對新一代半導體材料的探討已經(jīng)進入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向...
芯片新局面：第三代半導體迎來新機遇
2021-09-30
6月中旬，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在最新發(fā)布的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告2020》（以下簡稱“報告”）中表示，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)...
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